一种低介电、高强度多孔氮化硅陶瓷及其制备措施(对于一种低介电、高强度多孔氮化硅陶瓷及其制备措施简述)

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一、化硅化硅 《一种低介电、陶瓷陶瓷高强度多孔氮化硅陶瓷及其制备措施》是济南大学于2018年11月9日恳求的专利，该专利宣告号为CN109369194B，专利宣告日为2021年6月15日，缔造人是张柳、李庆刚、史国普、吴魁首、王志、黄世峰、程新。

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